使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造全SiC碳化硅風電變流器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模塊升級傳統(tǒng)IGBT模塊風電變流器，實現(xiàn)更高的風電變流器效率，更小的風電變流器體積重量！更低的風電變流器成本！

 

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊適用于風電變流器，比如雙饋風電變流器和全功率風電變流器等。

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的阻斷電壓高,開關(guān)速度快,耐高溫.基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的雙饋風力發(fā)電典型變流器拓撲系統(tǒng)在3 kHz開關(guān)頻率下,全SiC碳化硅風電變流器兩電平變流器較IGBT模塊兩電平效率提高3％,全SiC碳化硅風電變流器三電平變流器效率提高1％.

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的風電變流器和IGBT模塊風電變流器的效率、體積和成本進行了比較。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的風電變流器的實際熱模型進行模擬得出的結(jié)論是，在風力發(fā)電系統(tǒng)中應用SiC碳化硅MOSFET模塊將提供逼IGBT模塊更高的效率，但會大幅度減小風電變流器系統(tǒng)尺寸。隨著基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊價格的降低，該風電變流器系統(tǒng)的優(yōu)勢將更加明顯，因為在這種情況下濾波器成本要低得多。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的轉(zhuǎn)換系統(tǒng)節(jié)省整個系統(tǒng)成本和體積，對效率、體積和成本應用不同權(quán)重的成本函數(shù)（效率較小，成本和體積相等）表明，與IGBT模塊風電變流器相比，使用30 kHz 開關(guān)頻率的基本公司SiC碳化硅MOSFET模塊的風電變流器具有最佳價值，在減小風電變流器體積方面的優(yōu)勢更為明顯。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

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